{"allowContribute":false,"item":{"content":"## 一、公司基本資料\n\n| 項目 | 內容 |\n| :--- | :--- |\n| 公司名稱 | 力晶積成電子製造股份有限公司 |\n| 股票代號 | 6770（上市） |\n| 董事長 | 黃崇仁 |\n| 核心定位 | 開放式晶圓代工（Open Foundry），橫跨邏輯、記憶體、3D AI 先進封裝三大領域 |\n| 全球市佔 | 晶圓代工全球第十名，利基型 DRAM（≤1Gb）市佔 71% |\n| 廠區分布 | 6 座晶圓廠：2 座 8 吋廠（新竹 Fab 8A、竹南 Fab 8B）、4 座 12 吋廠（新竹 Fab P1/P2/P3、銅鑼 Fab P5 已售予美光） |\n| 技術節點 | 350nm ~ 1X nm |\n| 員工人數 | 約 7,000 人 |\n| 2026/7/7 收盤價 | 70.1 元 |\n| 每股淨值 | 22.76 元 |\n| 股本 | 約 423 億元（GDS 後將增加約 42 億元） |\n\n力積電的前身為力晶半導體（DRAM 廠），2012 年因 DRAM 產業崩盤下市重整，2019 年轉型晶圓代工後重新出發，2021 年重新上市。目前採用「Open Foundry」模式，不與客戶競爭產品，專注提供邏輯 IC、利基記憶體、3D AI 晶圓代工三大服務。\n\n---\n\n## 二、財務數據\n\n### 月營收追蹤（2025-2026）\n\n| 月份 | 2025 年營收（億元） | 2026 年營收（億元） | 年增率 |\n| :--- | :--- | :--- | :--- |\n| 1 月 | 36.57 | 46.18 | +26.3% |\n| 2 月 | 37.70 | 42.23 | +12.0% |\n| 3 月 | 36.89 | 47.32 | +28.3% |\n| 4 月 | 38.09 | 50.46 | +32.5% |\n| 5 月 | 36.32 | 57.70 | +58.9% |\n| 6 月 | 38.36 | — | — |\n| 7 月 | 39.10 | — | — |\n| 8 月 | 39.78 | — | — |\n| 9 月 | 39.52 | — | — |\n| 10 月 | 41.34 | — | — |\n| 11 月 | 40.92 | — | — |\n| 12 月 | 42.69 | — | — |\n| **全年合計** | **467.30** | **1-5 月累計 243.89** | **+31.4%（累計）** |\n\n\u003e 2026 年 1 月營收創 39 個月新高，4 月創 42 個月新高，5 月創歷史新高（57.70 億），營收逐月加速成長。\n\n### 季度財務指標\n\n| 指標 | 2025 Q1 | 2025 Q4 | 2026 Q1 |\n| :--- | :--- | :--- | :--- |\n| 單季營收（億元） | 111.17 | 124.95 | 135.70 |\n| 毛利率 | 虧損 | 6% | 10% |\n| 產能利用率 | 73% | 82% | 88% |\n| 稅後淨利（億元） | 虧損 | 虧損 | 142.30 |\n| EPS（元） | -0.65 | -0.15 | 3.36 |\n\n\u003e ⚠️ Q1 淨利 142.3 億元包含出售銅鑼 P5 廠予美光的一次性業外收益約 145 億元。排除該收益後，**本業獲利約 5 億元（EPS 約 0.12 元），接近損益兩平**。管理層表示 Q2 起財報將更能反映實際營運。\n\n### 2025 全年財務摘要\n\n| 指標 | 數值 |\n| :--- | :--- |\n| 全年營收 | 467.30 億元（年增 8%） |\n| 全年 EPS | -1.86 元（虧損） |\n| 每股淨值 | 22.76 元 |\n\n### 法人預估（2026 年）\n\n| 來源 | 營收預估 | EPS 預估 |\n| :--- | :--- | :--- |\n| 摩根士丹利（大摩） | — | 4.64 元 |\n| CMoney 法人綜合 | 629 億元（+34.7%） | 3.99 元 |\n| 公司官方指引 | 年增 \u003e50%（即 \u003e700 億元） | — |\n\n### 本益比分析\n\n| 計算基礎 | EPS | 對應本益比（股價 70.1 元） |\n| :--- | :--- | :--- |\n| 2025 全年（虧損） | -1.86 元 | 無意義 |\n| 2026 Q1 含業外（年化） | 13.44 元 | 5.2x |\n| 2026 Q1 純本業（年化） | 0.48 元 | 146x |\n| 法人預估 2026 全年 | 3.99 ~ 4.64 元 | 15.1x ~ 17.6x |\n| 2026 年 Forward PE（含業外） | 3.99 ~ 4.64 元 | 15.1x ~ 17.6x |\n\n\u003e 💡 關鍵解讀：目前 trailing PE 41x 是基於 Q1 含業外 EPS，**不具參考價值**。以法人全年 EPS 預估計算，Forward PE 約 **15-18 倍**，若扣除 Q1 一次性業外，本業 EPS 全年可能落在 1.5-2.5 元之間（取決於下半年漲價效應），對應本業 PE 約 28-47 倍。估值偏高，但市場以「轉型溢價」給予較高評價。\n\n### 營收結構（2026 Q1）\n\n| 業務 | 佔比 | 動能 |\n| :--- | :--- | :--- |\n| 記憶體代工（DRAM + Flash） | 44% | 漲價 + 美光合作，年底估升至 50% |\n| 邏輯晶圓代工 | 52.8% | PMIC 放量、DDIC 逐步淘汰 |\n| 3D AI Foundry | 3.2% | IPD/Interposer 放量，1-2 年內目標 20% |\n\n---\n\n## 三、核心利多題材\n\n### 題材一：DRAM 超級循環 + 結構性漲價\n\n- **DRAM 代工價格**：2026 年 3 月起結構性大幅調漲，因投片週期較長，漲價效應 **6 月起對營收產生雙位數以上貢獻**\n- **Flash 跟進漲價**：SLC NAND 因韓系大廠退出，4 月起價格結構性調漲\n- **記憶體缺貨**：管理層認為 AI 大廠已與 DRAM 大廠簽訂三年長約，記憶體市場缺口至少持續到 2026 下半年\n- **產能滿載**：DRAM 產能利用率接近 100%\n\n### 題材二：美光策略合作（1β DRAM + HBM 後段）\n\n- 美光以約 300 億元收購銅鑼 P5 廠，力積電取得鉅額現金\n- 與美光合作開發 **1β DRAM 技術**，預計 2027 Q1 搬入機台、2028 年量產（1β 晶圓顆粒數為現有主力的 2.5 倍）\n- **HBM PWF 代工**：承接美光 HBM 晶圓後段處理服務，長期合約至 2030 年，美光已預付 3 億美元設備款，預計 2027 Q2-Q3 量產\n\n### 題材三：矽電容（IPD）+ Intel EMIB\n\n- 力積電矽電容技術運用深溝槽蝕刻 + 3D 堆疊，厚度低於 100μm\n- **已正式通過 Intel 認證**，打入 EMIB 先進封裝供應鏈，已直接出貨\n- 2026 Q2 全面量產出貨，**產能全線滿載**，價格已調漲\n- 月產能 2026 年底達 3,000 片，2027 年拉升至 6,000-8,000 片\n- 摩根士丹利報告：2026 年國際市場矽電容**短缺率高達 57%**，未來三年結構性缺料\n\n### 題材四：台美日 Z-Angle Memory 次世代 AI 記憶體\n\n- 與 **Intel + 軟銀（SaiMemory）** 合作開發 Z-Angle Memory（ZAM）\n- 目標突破 HBM 頻寬/功耗瓶頸，功耗可降低 40-50%\n- 力積電扛起**試產與製造**重任，日本新光電氣協助\n- 進度：2027 年前完成原型、**2029 年商業化量產**\n- 戰略意義：打破三星/SK 海力士/美光三大寡占，台灣首次掌握 AI 記憶體話語權\n\n### 題材五：邏輯代工全面漲價\n\n- 12 吋驅動 IC 調漲 30%、CIS 調漲 20%\n- 8 吋驅動 IC 調漲 15%，3 月起逐月調高，累計已達 10%\n- AI 伺服器 PMIC 客戶已放量，月投片逾萬片\n- 銅鑼廠機台移回導致 12 吋產能限縮，**未來數季度投片需求大於產能**\n\n### 題材六：280 億元海外募資\n\n- 2026 年 6 月完成 8.86 億美元（約 280 億台幣）GDS 發行\n- 盧森堡證交所掛牌，定價每股 66.68 元\n- 資金用途：邏輯與記憶體技術整合、加速 3D AI Foundry 業務\n- 為繼南亞科、群聯後第三家完成募資的台灣記憶體相關廠商\n\n### 題材七：Interposer 矽中介層（CoWoS 供應鏈）\n\n- 已成為台積電 CoWoS 供應鏈一環，供應輝達、AMD 及各大 CSP 所需矽中介層\n- 初期產能規劃 5,000-6,000 片/月\n- 因銅鑼廠移出短暫停線，預計 **2026 Q3 於新竹廠區完成復線**\n\n---\n\n## 四、競爭優勢\n\n1. **Open Foundry 獨特定位**：全球極少數同時具備邏輯 IC + 記憶體代工能力的晶圓廠，客戶不用擔心與代工廠產品競爭\n2. **利基型 DRAM 龍頭**：≤1Gb DRAM 全球市佔 71%，在 IoT、車用、網通等利基市場具定價權\n3. **3D 堆疊技術領先**：WoW（晶圓對晶圓堆疊）4 層 DRAM 已完成驗證、8 層開發中，為 AI 晶片異質整合的關鍵技術\n4. **矽電容先發優勢**：台灣矽電容獨立製造龍頭，已通過最嚴格的 Intel 認證，技術門檻高\n5. **美光策略綁定**：從廠房出售、DRAM 技術轉移、HBM 後段代工，形成深度合作生態\n6. **完整製程平台**：從 350nm 到 1X nm，8 吋 + 12 吋廠兼備，可靈活調配產能\n7. **非中國產能優勢**：在地緣政治下，客戶尋求非中系晶圓代工產能，力積電受惠轉單效應\n\n---\n\n## 五、產業上下游關係\n\n### 上游（材料與設備）\n| 環節 | 主要供應商 | 力積電關聯 |\n| :--- | :--- | :--- |\n| 矽晶圓 | 環球晶、台勝科、SUMCO | 成熟製程用 8 吋/12 吋矽晶圓 |\n| 化學品/氣體 | 勝一、三福化、聯亞 | 製程所需光阻液、蝕刻氣體 |\n| 設備 | ASML、Applied Materials、TEL | 美光合作案帶動新機台採購 |\n| 封裝材料 | 矽電容自製 | IPD 替代傳統 MLCC |\n\n### 下游（應用與客戶）\n| 應用領域 | 力積電產品 | 終端客戶/市場 |\n| :--- | :--- | :--- |\n| AI/HPC | 矽電容、Interposer、HBM PWF | Intel、NVIDIA、AMD、CSP |\n| AI 伺服器 | PMIC（電源管理 IC） | MPS 等電源 IC 設計廠 |\n| 手機 | PMIC、DDIC、CIS | 5G 手機供應鏈 |\n| 車用 | 功率元件、利基 DRAM | 電動車/ADAS |\n| IoT/網通 | 利基型 DRAM、Flash | 物聯網裝置 |\n\n### 同業競爭定位\n| 公司 | 定位 | 與力積電差異 |\n| :--- | :--- | :--- |\n| 聯電（2303） | 成熟製程最大非紅廠 | 規模最大，28nm 以上為主，不含記憶體代工 |\n| 世界先進（5347） | 台積電關係企業，利基應用 | 高壓/SiC/GaN 為主，訂單能見度最高 |\n| 力積電（6770） | 記憶體 + 邏輯 + 3D AI | 技術轉型想像空間最大，Open Foundry |\n\n---\n\n## 六、全年展望\n\n### 公司官方指引（2026/6/29 法說會）\n\n- **全年營收**：年增率 **超過 50%**（即全年 \u003e700 億元）\n- **Q2 展望**：營收與獲利將「顯著成長」，毛利率預期「大幅跳升」\n- **業務比重**：記憶體年底升至 50%，3D AI Foundry 在 1-2 年內升至 20%\n- **資本支出**：2026 年規劃 5.12 億美元，隨技轉進度滾動調整\n\n### 各事業群展望\n\n| 事業群 | 2026 H2 預期 | 中長期（2027-2028） |\n| :--- | :--- | :--- |\n| 記憶體 | DRAM 漲價效應逐月發酵，Flash 跟漲 | 1β DRAM 2028 年量產 |\n| 邏輯代工 | PMIC 持續放量、DDIC 逐步淘汰、價格續漲 | 產能吃緊支撐議價力 |\n| IPD 矽電容 | 年底月產能 3,000 片，產能滿載 | 2027 年 6,000-8,000 片/月 |\n| Interposer | Q3 新竹復線，客戶需求強勁 | 隨 CoWoS 擴產而成長 |\n| HBM PWF | H2 機台搬入、Q4 試產 | 2027 Q2-Q3 量產，目標月產 2 萬片 |\n| Z-Angle Memory | 研發階段 | 2027 原型、2029 商業化 |\n\n### 營收推估（情境分析）\n\n| 情境 | 2026 全年營收 | EPS（含 Q1 業外） | 對應 PE（70.1 元） |\n| :--- | :--- | :--- | :--- |\n| 保守（年增 35%） | 630 億元 | 3.5 ~ 4.0 元 | 17.5x ~ 20.0x |\n| 基礎（年增 50%） | 700 億元 | 4.0 ~ 4.6 元 | 15.2x ~ 17.5x |\n| 樂觀（年增 60%+） | 750 億元+ | 4.6 ~ 5.5 元 | 12.7x ~ 15.2x |\n\n\u003e 若扣除 Q1 一次性業外收益（約 3.3 元），全年本業 EPS 預估區間為 0.2 ~ 2.2 元，對應本業 PE 約 32x ~ 350x。關鍵在於下半年漲價效應對獲利的實際貢獻。\n\n---\n\n## 七、風險警示\n\n### 🔴 高風險\n\n1. **本業獲利尚未兌現**：Q1 排除業外後，本業僅賺約 5 億元（EPS 0.12 元）。雖然 Q2 預期大幅成長，但實際毛利率能回升到什麼程度仍是未知數。若漲價效應不如預期，全年本業獲利可能極為有限。\n\n2. **估值偏離基本面**：以目前股價 70.1 元、每股淨值 22.76 元計算，**股價淨值比（P/B）高達 3.08 倍**。對成熟製程晶圓代工廠而言，此評價已反映極高的成長預期，一旦題材降溫，回檔空間可觀。\n\n3. **短線漲幅過大**：股價 5 月單月大漲 70%、6 月一度衝至 94.5 元，短線乖離過大。若籌碼鬆動或大盤轉弱，技術面修正壓力沈重。目前已從高點回檔約 26%（94.5 → 70.1）。\n\n### 🟡 中風險\n\n4. **股本稀釋**：GDS 發行 4.2 億新股（約稀釋 10%），雖募得 280 億元資金，但短期內將稀釋 EPS。\n\n5. **中國成熟製程競爭**：中芯國際等在 28nm/40nm 持續擴產，對通用型成熟製程價格形成長期壓力。力積電雖往特殊製程轉型，但邏輯代工仍有相當比重面臨價格競爭。\n\n6. **消費性電子需求不確定**：邏輯代工仍有部分來自消費性電子（DDIC/CIS），此領域易受景氣波動影響。\n\n### 🟢 長期風險\n\n7. **Z-Angle Memory 商業化遙遠**：2029 年才能量產，期間技術路線可能變化，且面臨三星/SK 海力士/HBM 的競爭壁壘。\n\n8. **美光合作依賴度高**：1β DRAM 導入、HBM 後段代工等核心成長動能高度依賴美光，若合作生變影響甚鉅。\n\n9. **矽電容市場變數**：雖然目前短缺率高，但若華邦電/三星電機陣營或其他競爭者加速量產，供需可能快速反轉。\n\n---\n\n## 八、綜合評估\n\n### 投資評等：⚠️ 審慎樂觀（高風險高回報）\n\n力積電正處於 **「成熟製程代工廠 → AI 供應鏈關鍵要角」** 的轉型十字路口。公司手握多張 AI 牌：矽電容（Intel EMIB）、Interposer（CoWoS）、記憶體漲價循環、美光策略合作（1β DRAM + HBM PWF）、Z-Angle Memory 次世代記憶體，題材豐富度在台股中名列前茅。\n\n### 多空力道分析\n\n**🟢 做多理由：**\n- 營收趨勢明確向上（5 月創歷史新高、全年估年增 \u003e50%）\n- 記憶體 + 邏輯代工雙漲價，下半年獲利有望大幅跳升\n- 矽電容為 Intel 獨家認證，寡佔市場，三年內供不應求\n- Z-Angle Memory 長期想像空間大，若成功將是典範轉移\n- Forward PE 15-18 倍（含業外）在 AI 概念股中不算貴\n\n**🔴 做空/觀望理由：**\n- 目前本業獲利微薄，股價多數反映「預期」而非「現實」\n- P/B 3.08 倍已偏高，若轉型故事不如預期，修正空間大\n- 短期漲幅過大、技術面乖離，可能持續修正\n- GDS 稀釋 + 中國競爭 + 消費電子風險不可忽視\n\n### 關鍵觀察指標（2026 H2）\n\n1. **6 月營收**：DRAM 漲價效應是否如管理層所說「雙位數貢獻」\n2. **Q2 毛利率**：是否能從 10% 大幅跳升（驗證漲價傳導能力）\n3. **IPD 月產能**：年底是否如期達 3,000 片\n4. **Interposer 復線進度**：Q3 新竹廠是否順利復線\n5. **HBM PWF 進度**：設備搬入與試產是否如期\n\n### 結論\n\n力積電是典型的 **「轉機 + 題材」** 型股票，不是穩健的價值投資標的。目前股價已反映相當程度的樂觀預期，投資人需密切追蹤下半年營收與毛利率是否能「實質兌現」，而非僅停留在題材層面。\n\n\u003e 📌 **適合的投資人**：能承受高波動、相信力積電轉型故事、願意等待 2027-2028 年獲利爆發的成長型投資人。\n\u003e\n\u003e ⚠️ **不適合的投資人**：追求穩定配息、低本益比、或無法忍受短期 20-30% 回檔的保守型投資人。\n\n---\n\n*報告撰寫日期：2026-07-07*\n*資料來源：經濟日報、永豐金證券/豐雲學堂、CMoney、Yahoo 股市、富果、商周、台灣好新聞、公司公開資訊觀測站*\n*聲明：本報告僅供參考，不構成投資建議。投資人應自行評估風險。*","createdAt":1783423010352,"deletedAt":null,"id":"7dc0c54627e0224e9ae2e8b9","isNew":false,"isPublic":true,"itemType":"NOTE","name":"[6770] 力積電 基本面研究報告 2026-07-07","parents":{"54b4ea735df5be5082b274f3":1783423010352},"preParentID":null,"updatedAt":1783423552478,"version":3},"ownerName":"呱呱🐸","subtree":[{"content":"## 一、公司基本資料\n\n| 項目 | 內容 |\n| :--- | :--- |\n| 公司名稱 | 力晶積成電子製造股份有限公司 |\n| 股票代號 | 6770（上市） |\n| 董事長 | 黃崇仁 |\n| 核心定位 | 開放式晶圓代工（Open Foundry），橫跨邏輯、記憶體、3D AI 先進封裝三大領域 |\n| 全球市佔 | 晶圓代工全球第十名，利基型 DRAM（≤1Gb）市佔 71% |\n| 廠區分布 | 6 座晶圓廠：2 座 8 吋廠（新竹 Fab 8A、竹南 Fab 8B）、4 座 12 吋廠（新竹 Fab P1/P2/P3、銅鑼 Fab P5 已售予美光） |\n| 技術節點 | 350nm ~ 1X nm |\n| 員工人數 | 約 7,000 人 |\n| 2026/7/7 收盤價 | 70.1 元 |\n| 每股淨值 | 22.76 元 |\n| 股本 | 約 423 億元（GDS 後將增加約 42 億元） |\n\n力積電的前身為力晶半導體（DRAM 廠），2012 年因 DRAM 產業崩盤下市重整，2019 年轉型晶圓代工後重新出發，2021 年重新上市。目前採用「Open Foundry」模式，不與客戶競爭產品，專注提供邏輯 IC、利基記憶體、3D AI 晶圓代工三大服務。\n\n---\n\n## 二、財務數據\n\n### 月營收追蹤（2025-2026）\n\n| 月份 | 2025 年營收（億元） | 2026 年營收（億元） | 年增率 |\n| :--- | :--- | :--- | :--- |\n| 1 月 | 36.57 | 46.18 | +26.3% |\n| 2 月 | 37.70 | 42.23 | +12.0% |\n| 3 月 | 36.89 | 47.32 | +28.3% |\n| 4 月 | 38.09 | 50.46 | +32.5% |\n| 5 月 | 36.32 | 57.70 | +58.9% |\n| 6 月 | 38.36 | — | — |\n| 7 月 | 39.10 | — | — |\n| 8 月 | 39.78 | — | — |\n| 9 月 | 39.52 | — | — |\n| 10 月 | 41.34 | — | — |\n| 11 月 | 40.92 | — | — |\n| 12 月 | 42.69 | — | — |\n| **全年合計** | **467.30** | **1-5 月累計 243.89** | **+31.4%（累計）** |\n\n\u003e 2026 年 1 月營收創 39 個月新高，4 月創 42 個月新高，5 月創歷史新高（57.70 億），營收逐月加速成長。\n\n### 季度財務指標\n\n| 指標 | 2025 Q1 | 2025 Q4 | 2026 Q1 |\n| :--- | :--- | :--- | :--- |\n| 單季營收（億元） | 111.17 | 124.95 | 135.70 |\n| 毛利率 | 虧損 | 6% | 10% |\n| 產能利用率 | 73% | 82% | 88% |\n| 稅後淨利（億元） | 虧損 | 虧損 | 142.30 |\n| EPS（元） | -0.65 | -0.15 | 3.36 |\n\n\u003e ⚠️ Q1 淨利 142.3 億元包含出售銅鑼 P5 廠予美光的一次性業外收益約 145 億元。排除該收益後，**本業獲利約 5 億元（EPS 約 0.12 元），接近損益兩平**。管理層表示 Q2 起財報將更能反映實際營運。\n\n### 2025 全年財務摘要\n\n| 指標 | 數值 |\n| :--- | :--- |\n| 全年營收 | 467.30 億元（年增 8%） |\n| 全年 EPS | -1.86 元（虧損） |\n| 每股淨值 | 22.76 元 |\n\n### 法人預估（2026 年）\n\n| 來源 | 營收預估 | EPS 預估 |\n| :--- | :--- | :--- |\n| 摩根士丹利（大摩） | — | 4.64 元 |\n| CMoney 法人綜合 | 629 億元（+34.7%） | 3.99 元 |\n| 公司官方指引 | 年增 \u003e50%（即 \u003e700 億元） | — |\n\n### 本益比分析\n\n| 計算基礎 | EPS | 對應本益比（股價 70.1 元） |\n| :--- | :--- | :--- |\n| 2025 全年（虧損） | -1.86 元 | 無意義 |\n| 2026 Q1 含業外（年化） | 13.44 元 | 5.2x |\n| 2026 Q1 純本業（年化） | 0.48 元 | 146x |\n| 法人預估 2026 全年 | 3.99 ~ 4.64 元 | 15.1x ~ 17.6x |\n| 2026 年 Forward PE（含業外） | 3.99 ~ 4.64 元 | 15.1x ~ 17.6x |\n\n\u003e 💡 關鍵解讀：目前 trailing PE 41x 是基於 Q1 含業外 EPS，**不具參考價值**。以法人全年 EPS 預估計算，Forward PE 約 **15-18 倍**，若扣除 Q1 一次性業外，本業 EPS 全年可能落在 1.5-2.5 元之間（取決於下半年漲價效應），對應本業 PE 約 28-47 倍。估值偏高，但市場以「轉型溢價」給予較高評價。\n\n### 營收結構（2026 Q1）\n\n| 業務 | 佔比 | 動能 |\n| :--- | :--- | :--- |\n| 記憶體代工（DRAM + Flash） | 44% | 漲價 + 美光合作，年底估升至 50% |\n| 邏輯晶圓代工 | 52.8% | PMIC 放量、DDIC 逐步淘汰 |\n| 3D AI Foundry | 3.2% | IPD/Interposer 放量，1-2 年內目標 20% |\n\n---\n\n## 三、核心利多題材\n\n### 題材一：DRAM 超級循環 + 結構性漲價\n\n- **DRAM 代工價格**：2026 年 3 月起結構性大幅調漲，因投片週期較長，漲價效應 **6 月起對營收產生雙位數以上貢獻**\n- **Flash 跟進漲價**：SLC NAND 因韓系大廠退出，4 月起價格結構性調漲\n- **記憶體缺貨**：管理層認為 AI 大廠已與 DRAM 大廠簽訂三年長約，記憶體市場缺口至少持續到 2026 下半年\n- **產能滿載**：DRAM 產能利用率接近 100%\n\n### 題材二：美光策略合作（1β DRAM + HBM 後段）\n\n- 美光以約 300 億元收購銅鑼 P5 廠，力積電取得鉅額現金\n- 與美光合作開發 **1β DRAM 技術**，預計 2027 Q1 搬入機台、2028 年量產（1β 晶圓顆粒數為現有主力的 2.5 倍）\n- **HBM PWF 代工**：承接美光 HBM 晶圓後段處理服務，長期合約至 2030 年，美光已預付 3 億美元設備款，預計 2027 Q2-Q3 量產\n\n### 題材三：矽電容（IPD）+ Intel EMIB\n\n- 力積電矽電容技術運用深溝槽蝕刻 + 3D 堆疊，厚度低於 100μm\n- **已正式通過 Intel 認證**，打入 EMIB 先進封裝供應鏈，已直接出貨\n- 2026 Q2 全面量產出貨，**產能全線滿載**，價格已調漲\n- 月產能 2026 年底達 3,000 片，2027 年拉升至 6,000-8,000 片\n- 摩根士丹利報告：2026 年國際市場矽電容**短缺率高達 57%**，未來三年結構性缺料\n\n### 題材四：台美日 Z-Angle Memory 次世代 AI 記憶體\n\n- 與 **Intel + 軟銀（SaiMemory）** 合作開發 Z-Angle Memory（ZAM）\n- 目標突破 HBM 頻寬/功耗瓶頸，功耗可降低 40-50%\n- 力積電扛起**試產與製造**重任，日本新光電氣協助\n- 進度：2027 年前完成原型、**2029 年商業化量產**\n- 戰略意義：打破三星/SK 海力士/美光三大寡占，台灣首次掌握 AI 記憶體話語權\n\n### 題材五：邏輯代工全面漲價\n\n- 12 吋驅動 IC 調漲 30%、CIS 調漲 20%\n- 8 吋驅動 IC 調漲 15%，3 月起逐月調高，累計已達 10%\n- AI 伺服器 PMIC 客戶已放量，月投片逾萬片\n- 銅鑼廠機台移回導致 12 吋產能限縮，**未來數季度投片需求大於產能**\n\n### 題材六：280 億元海外募資\n\n- 2026 年 6 月完成 8.86 億美元（約 280 億台幣）GDS 發行\n- 盧森堡證交所掛牌，定價每股 66.68 元\n- 資金用途：邏輯與記憶體技術整合、加速 3D AI Foundry 業務\n- 為繼南亞科、群聯後第三家完成募資的台灣記憶體相關廠商\n\n### 題材七：Interposer 矽中介層（CoWoS 供應鏈）\n\n- 已成為台積電 CoWoS 供應鏈一環，供應輝達、AMD 及各大 CSP 所需矽中介層\n- 初期產能規劃 5,000-6,000 片/月\n- 因銅鑼廠移出短暫停線，預計 **2026 Q3 於新竹廠區完成復線**\n\n---\n\n## 四、競爭優勢\n\n1. **Open Foundry 獨特定位**：全球極少數同時具備邏輯 IC + 記憶體代工能力的晶圓廠，客戶不用擔心與代工廠產品競爭\n2. **利基型 DRAM 龍頭**：≤1Gb DRAM 全球市佔 71%，在 IoT、車用、網通等利基市場具定價權\n3. **3D 堆疊技術領先**：WoW（晶圓對晶圓堆疊）4 層 DRAM 已完成驗證、8 層開發中，為 AI 晶片異質整合的關鍵技術\n4. **矽電容先發優勢**：台灣矽電容獨立製造龍頭，已通過最嚴格的 Intel 認證，技術門檻高\n5. **美光策略綁定**：從廠房出售、DRAM 技術轉移、HBM 後段代工，形成深度合作生態\n6. **完整製程平台**：從 350nm 到 1X nm，8 吋 + 12 吋廠兼備，可靈活調配產能\n7. **非中國產能優勢**：在地緣政治下，客戶尋求非中系晶圓代工產能，力積電受惠轉單效應\n\n---\n\n## 五、產業上下游關係\n\n### 上游（材料與設備）\n| 環節 | 主要供應商 | 力積電關聯 |\n| :--- | :--- | :--- |\n| 矽晶圓 | 環球晶、台勝科、SUMCO | 成熟製程用 8 吋/12 吋矽晶圓 |\n| 化學品/氣體 | 勝一、三福化、聯亞 | 製程所需光阻液、蝕刻氣體 |\n| 設備 | ASML、Applied Materials、TEL | 美光合作案帶動新機台採購 |\n| 封裝材料 | 矽電容自製 | IPD 替代傳統 MLCC |\n\n### 下游（應用與客戶）\n| 應用領域 | 力積電產品 | 終端客戶/市場 |\n| :--- | :--- | :--- |\n| AI/HPC | 矽電容、Interposer、HBM PWF | Intel、NVIDIA、AMD、CSP |\n| AI 伺服器 | PMIC（電源管理 IC） | MPS 等電源 IC 設計廠 |\n| 手機 | PMIC、DDIC、CIS | 5G 手機供應鏈 |\n| 車用 | 功率元件、利基 DRAM | 電動車/ADAS |\n| IoT/網通 | 利基型 DRAM、Flash | 物聯網裝置 |\n\n### 同業競爭定位\n| 公司 | 定位 | 與力積電差異 |\n| :--- | :--- | :--- |\n| 聯電（2303） | 成熟製程最大非紅廠 | 規模最大，28nm 以上為主，不含記憶體代工 |\n| 世界先進（5347） | 台積電關係企業，利基應用 | 高壓/SiC/GaN 為主，訂單能見度最高 |\n| 力積電（6770） | 記憶體 + 邏輯 + 3D AI | 技術轉型想像空間最大，Open Foundry |\n\n---\n\n## 六、全年展望\n\n### 公司官方指引（2026/6/29 法說會）\n\n- **全年營收**：年增率 **超過 50%**（即全年 \u003e700 億元）\n- **Q2 展望**：營收與獲利將「顯著成長」，毛利率預期「大幅跳升」\n- **業務比重**：記憶體年底升至 50%，3D AI Foundry 在 1-2 年內升至 20%\n- **資本支出**：2026 年規劃 5.12 億美元，隨技轉進度滾動調整\n\n### 各事業群展望\n\n| 事業群 | 2026 H2 預期 | 中長期（2027-2028） |\n| :--- | :--- | :--- |\n| 記憶體 | DRAM 漲價效應逐月發酵，Flash 跟漲 | 1β DRAM 2028 年量產 |\n| 邏輯代工 | PMIC 持續放量、DDIC 逐步淘汰、價格續漲 | 產能吃緊支撐議價力 |\n| IPD 矽電容 | 年底月產能 3,000 片，產能滿載 | 2027 年 6,000-8,000 片/月 |\n| Interposer | Q3 新竹復線，客戶需求強勁 | 隨 CoWoS 擴產而成長 |\n| HBM PWF | H2 機台搬入、Q4 試產 | 2027 Q2-Q3 量產，目標月產 2 萬片 |\n| Z-Angle Memory | 研發階段 | 2027 原型、2029 商業化 |\n\n### 營收推估（情境分析）\n\n| 情境 | 2026 全年營收 | EPS（含 Q1 業外） | 對應 PE（70.1 元） |\n| :--- | :--- | :--- | :--- |\n| 保守（年增 35%） | 630 億元 | 3.5 ~ 4.0 元 | 17.5x ~ 20.0x |\n| 基礎（年增 50%） | 700 億元 | 4.0 ~ 4.6 元 | 15.2x ~ 17.5x |\n| 樂觀（年增 60%+） | 750 億元+ | 4.6 ~ 5.5 元 | 12.7x ~ 15.2x |\n\n\u003e 若扣除 Q1 一次性業外收益（約 3.3 元），全年本業 EPS 預估區間為 0.2 ~ 2.2 元，對應本業 PE 約 32x ~ 350x。關鍵在於下半年漲價效應對獲利的實際貢獻。\n\n---\n\n## 七、風險警示\n\n### 🔴 高風險\n\n1. **本業獲利尚未兌現**：Q1 排除業外後，本業僅賺約 5 億元（EPS 0.12 元）。雖然 Q2 預期大幅成長，但實際毛利率能回升到什麼程度仍是未知數。若漲價效應不如預期，全年本業獲利可能極為有限。\n\n2. **估值偏離基本面**：以目前股價 70.1 元、每股淨值 22.76 元計算，**股價淨值比（P/B）高達 3.08 倍**。對成熟製程晶圓代工廠而言，此評價已反映極高的成長預期，一旦題材降溫，回檔空間可觀。\n\n3. **短線漲幅過大**：股價 5 月單月大漲 70%、6 月一度衝至 94.5 元，短線乖離過大。若籌碼鬆動或大盤轉弱，技術面修正壓力沈重。目前已從高點回檔約 26%（94.5 → 70.1）。\n\n### 🟡 中風險\n\n4. **股本稀釋**：GDS 發行 4.2 億新股（約稀釋 10%），雖募得 280 億元資金，但短期內將稀釋 EPS。\n\n5. **中國成熟製程競爭**：中芯國際等在 28nm/40nm 持續擴產，對通用型成熟製程價格形成長期壓力。力積電雖往特殊製程轉型，但邏輯代工仍有相當比重面臨價格競爭。\n\n6. **消費性電子需求不確定**：邏輯代工仍有部分來自消費性電子（DDIC/CIS），此領域易受景氣波動影響。\n\n### 🟢 長期風險\n\n7. **Z-Angle Memory 商業化遙遠**：2029 年才能量產，期間技術路線可能變化，且面臨三星/SK 海力士/HBM 的競爭壁壘。\n\n8. **美光合作依賴度高**：1β DRAM 導入、HBM 後段代工等核心成長動能高度依賴美光，若合作生變影響甚鉅。\n\n9. **矽電容市場變數**：雖然目前短缺率高，但若華邦電/三星電機陣營或其他競爭者加速量產，供需可能快速反轉。\n\n---\n\n## 八、綜合評估\n\n### 投資評等：⚠️ 審慎樂觀（高風險高回報）\n\n力積電正處於 **「成熟製程代工廠 → AI 供應鏈關鍵要角」** 的轉型十字路口。公司手握多張 AI 牌：矽電容（Intel EMIB）、Interposer（CoWoS）、記憶體漲價循環、美光策略合作（1β DRAM + HBM PWF）、Z-Angle Memory 次世代記憶體，題材豐富度在台股中名列前茅。\n\n### 多空力道分析\n\n**🟢 做多理由：**\n- 營收趨勢明確向上（5 月創歷史新高、全年估年增 \u003e50%）\n- 記憶體 + 邏輯代工雙漲價，下半年獲利有望大幅跳升\n- 矽電容為 Intel 獨家認證，寡佔市場，三年內供不應求\n- Z-Angle Memory 長期想像空間大，若成功將是典範轉移\n- Forward PE 15-18 倍（含業外）在 AI 概念股中不算貴\n\n**🔴 做空/觀望理由：**\n- 目前本業獲利微薄，股價多數反映「預期」而非「現實」\n- P/B 3.08 倍已偏高，若轉型故事不如預期，修正空間大\n- 短期漲幅過大、技術面乖離，可能持續修正\n- GDS 稀釋 + 中國競爭 + 消費電子風險不可忽視\n\n### 關鍵觀察指標（2026 H2）\n\n1. **6 月營收**：DRAM 漲價效應是否如管理層所說「雙位數貢獻」\n2. **Q2 毛利率**：是否能從 10% 大幅跳升（驗證漲價傳導能力）\n3. **IPD 月產能**：年底是否如期達 3,000 片\n4. **Interposer 復線進度**：Q3 新竹廠是否順利復線\n5. **HBM PWF 進度**：設備搬入與試產是否如期\n\n### 結論\n\n力積電是典型的 **「轉機 + 題材」** 型股票，不是穩健的價值投資標的。目前股價已反映相當程度的樂觀預期，投資人需密切追蹤下半年營收與毛利率是否能「實質兌現」，而非僅停留在題材層面。\n\n\u003e 📌 **適合的投資人**：能承受高波動、相信力積電轉型故事、願意等待 2027-2028 年獲利爆發的成長型投資人。\n\u003e\n\u003e ⚠️ **不適合的投資人**：追求穩定配息、低本益比、或無法忍受短期 20-30% 回檔的保守型投資人。\n\n---\n\n*報告撰寫日期：2026-07-07*\n*資料來源：經濟日報、永豐金證券/豐雲學堂、CMoney、Yahoo 股市、富果、商周、台灣好新聞、公司公開資訊觀測站*\n*聲明：本報告僅供參考，不構成投資建議。投資人應自行評估風險。*","createdAt":1783423010352,"deletedAt":null,"id":"7dc0c54627e0224e9ae2e8b9","isNew":false,"isPublic":true,"itemType":"NOTE","name":"[6770] 力積電 基本面研究報告 2026-07-07","parents":{"54b4ea735df5be5082b274f3":1783423010352},"preParentID":null,"updatedAt":1783423552478,"version":3}]}